Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Part number :
MZ-V9S1T0BW
EAN :
8806095575674
191,18 €
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Description
Samsung MZ-V9S1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7150 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s, composant pour: PC
Spécification
Caractéristiques
Version NVMe
2.0
Temps moyen entre pannes
1500000 h
composant pour
PC/ordinateur portable
Facteur de forme SSD
M.2
Vitesse de lecture
7150 Mbyte/s
Vitesse d'écriture
6300 Mbyte/s
NVMe
Oui
Le chiffrement matériel
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Lecture aléatoire (4KB)
850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1350000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Support TRIM
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Interface
PCI Express 4.0
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 GB
Type de mémoire
V-NAND TLC
Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Température d'opération
0 - 70
Puissance
Consommation électrique moyenne (écriture)
4.2000
Consommation électrique moyenne (lecture)
4.3000
Tension de fonctionnement
3.3000
Poids et dimensions
Profondeur
2.38 mm
Largeur
80.15 mm
Hauteur
22.15 mm
Poids
9 g
Basic Data
Série
990
Données du fabricant
Nom
Samsung Electronics Co., Ltd.
Adresse
Samsung-ro 129, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 16677, South Korea
Site web
https://www.samsung.com/
E-mail
Entité responsable
Nom
Samsung Electronics GmbH
Adresse
Am Kronberger Hang 6, D-65824 Schwalbach am Taunus, Germany
Site web
https://www.samsung.de/
E-mail
SKU :
1763582
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