Samsung 990 EVO 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Part number :
MZ-V9E1T0BW
EAN :
8806095300276
Afin de déterminer les détails, veuillez nous contacter par téléphone ou par e-mail.
Modes de paiement
Méthodes de livraison
> Lecture séquentielle jusqu’à 5 000 Mo/s
> Contrôle thermique intelligent
> Interfaces PCIe® 4.0 x4, compatible PCIe® 5.0 x2
Liste des substituts suggérés pour le produit :
Disponibilité :
HT
TTC
Dernier prix le plus bas :
Il s'agit du prix brut le plus bas des 30 derniers jours avant que la réduction ne soit appliquée.
Il s'agit du prix brut le plus bas des 30 derniers jours avant que la réduction ne soit appliquée.
Des solutions idéales pour votre entreprise
Nous trouvons la solution optimale pour votre entreprise. Chaque jour, nos spécialistes de la vente et de l'avant-vente sélectionnent des produits et des services pour nos clients.
Livraison express d'équipements dans le monde entier
Nous garantissons la livraison de votre matériel à temps, où que vous soyez. Nous travaillons avec des partenaires internationaux afin d'optimiser notre logistique.
Soutien à la mise en œuvre garanti
Nous vous aidons à mettre en œuvre des solutions dans votre entreprise. Nos ingénieurs qualifiés vous aident à gérer efficacement votre infrastructure.
Le client d'abord
Nos experts RMA traitent les réclamations et les remplacements d'équipement rapidement et efficacement, afin que votre entreprise puisse fonctionner sans heurts.
Description
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
Multimedia
Leaflet:
Spécification
Caractéristiques
Version NVMe
2.0
Temps moyen entre pannes
1500000 h
composant pour
PC/ordinateur portable
Facteur de forme SSD
M.2
Vitesse de lecture
5000 Mbyte/s
Vitesse d'écriture
4200 Mbyte/s
NVMe
Oui
Le chiffrement matériel
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Révision CEM PCI Express
4.0
Support TRIM
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Interface
PCI Express 4.0
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 GB
Type de mémoire
V-NAND TLC
Classe TBW
600
Conditions environnementales
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95
Température hors fonctionnement
-40 - 85
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95
Vibrations hors fonctionnement
20 G
Choc hors fonctionnement
1500 G
Température d'opération
0 - 70
Informations sur l'emballage
Type d'emballage
Boîte
Détails techniques
Période de garantie
5 year
Puissance
Consommation électrique (Lecture)
4.9000
Consommation électrique (Ecriture)
4.5000
Consommation électrique (idle)
0.0600
Consommation d 'énergie (en mode veille)
0.0050
Tension de fonctionnement
3.3000
Poids et dimensions
Profondeur
22.15 mm
Largeur
80.15 mm
Hauteur
2.38 mm
Poids
9 g
Autres caractéristiques
Période de garantie
5 year
Basic Data
Série
990
Données du fabricant
Nom
Samsung Electronics Co., Ltd.
Adresse
Samsung-ro 129, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 16677, South Korea
Site web
https://www.samsung.com/
E-mail
Entité responsable
Nom
Samsung Electronics GmbH
Adresse
Am Kronberger Hang 6, D-65824 Schwalbach am Taunus, Germany
Site web
https://www.samsung.de/
E-mail
SKU :
1748303
Merci ! Nous vous avertirons par e-mail lorsque le produit sera à nouveau disponible.
Un problème est survenu lors de l'envoi de votre demande.
Veuillez réessayer.
Calculer le coût exact et les délais de livraison de ce produit
| Je suis : | |
|
|
|
|
|
|
| Calculer |
Champ vide
Format incorrect
Format incorrect
