Samsung 960 EVO M.2 1000 GB PCI Express V-NAND NVMe
Part number :
MZ-V6E1T0BW
EAN :
8806088540115
365,47 €
HT
438,56 €
TTC
Disponibilité :
EOL
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Produit indisponible
> 1 To M.2 PCI Express
> Vitesse de lecture: 3200 Mo/s
> Vitesse d'écriture: 1900 Mo/s 360000 IOPS
> V-NAND NVMe 1.2
> Le chiffrement matériel 256-bit AES
> Support S.M.A.R.T. Support TRIM
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Description
Samsung 960 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 3200 Mo/s, Vitesse d'écriture: 1900 Mo/s
Spécification
Caractéristiques
Version NVMe
1.2
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Facteur de forme SSD
M.2
Vitesse de lecture
3200 Mbyte/s
Vitesse d'écriture
1900 Mbyte/s
NVMe
Oui
Le chiffrement matériel
Oui
Lecture maximum (4 Ko)
380000 IOPS
Ecriture maximum (4 Ko)
360000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
360000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Support TRIM
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Fonctions de protection
Résistant aux chocs
Interface
PCI Express
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 GB
Type de contrôleur
Samsung Polaris
Type de mémoire
V-NAND
Conditions environnementales
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95
Température hors fonctionnement
-40 - 85
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95
Température d'opération
0 - 70
Puissance
Consommation d'énergie (moyenne)
5.7000
Poids et dimensions
Profondeur
22.15 mm
Largeur
80.15 mm
Hauteur
2.38 mm
Poids
8 g
Autres caractéristiques
Couleur du produit
Noir
Date de lancement
2/14/2017
Sécurité du produit
Données du fabricant
Nom
Samsung Electronics Co., Ltd.
Adresse
Samsung-ro 129, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 16677, South Korea
Site web
https://www.samsung.com/
E-mail
Entité responsable
Nom
Samsung Electronics GmbH
Adresse
Am Kronberger Hang 6, D-65824 Schwalbach am Taunus, Germany
Site web
https://www.samsung.de/
E-mail
SKU :
1027039
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